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DMG2301U

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DMG2301U-7
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DMG2301U-7参数：MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@2.8A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：608pF@6V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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