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DMG3415U

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DMG3415U 优势库存
DIODES
SOT23-3
2023+
93350
全新原厂原装现货
DMG3415U-7
Diodes Incorpo..
SOT-23-3
2023+
13323
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DMG3415UQ-7
Diodes Incorpo..
SOT-23-3
2023+
2400
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DMG3415UFY4Q-7-52
Diodes Incorpo..
-
2023+
500
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DMG3415UFY4Q-7
Diodes Incorpo..
X2-DFN2015-3
2023+
92596
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DMG3415UFY4-7
Diodes Incorpo..
DFN2015H4-3
2023+
500
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DMG3415U-13
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SOT-23-3
2023+
500
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DMG3415U-7
DiodesInc代理分销
TO-236-3,SC-..
2023+
1250
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DMG3415UFY4-7
DiodesInc代理分销
3-XFDFN
2023+
1250
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DMG3415UFY4
DiodesInc
3-DFN
2023+
3000
品质保证,价格优惠
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DMG3415U
DiodesInc
SOT-23
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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DMG3415U-7
DIODES
SOT23
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3000
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相关型号： DMG3414U-7 DMG3401LSN-7 DMG264H00R DMG264120R DMG264060R DMG264050R

DMG3415U-7
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DMG3415U-7参数：MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： SOT-23PackageTop SOT-23PackageSide1 SOT-23PackageSide2
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：39毫欧@4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.1nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：294pF@10V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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