DMHC3025LSD-13参数：MOSFET 2N+2P 30V 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N?通道和2个P通道（H桥）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A，4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：590pF@15V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
