DMN1019USN-7

DMN1019UFDE-7
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DMN1019UFDE-7参数：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50.6nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2425pF @ 10V
功率 - 最大值：690mW
安装类型：表面贴装
封装：6-UDFN
供应商器件封装：*