DMN2004DMK-7参数：MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： SOT-26PackageTop SOT-26PackageSide1 SOT-26PackageSide2PCNDesign/Specification： BondWire3/May/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：540mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：550毫欧@540mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：150pF@16V功率-最大值：225mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6供应商器件封装：SOT-26
