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DMN2009LSS

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相关型号： DMN2005LPK-7 DMN2005LP4K-7 DMN2005K-7 DMN2005DLP4K-7 DMN2004WK-7 DMN2004VK-7

DMN2009LSS-13
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DMN2009LSS-13参数：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：58.3nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2555pF@10V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP

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