DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7
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DMN2016LHAB-7参数：MOSF N CH DL 20V 7.5A UDFN20306

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15.5 毫欧 @ 4A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1550pF @ 10V
功率 - 最大值：1.2W
安装类型：表面贴装
封装：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：*