DMN2400UV-7参数：MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.33A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：500毫欧@600mA，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：36pF@16V功率-最大值：530mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
