DMN3025LFG-7参数：MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：2,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@7.8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：605pF@15V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerDI3333-8
