DMN3030LFG-7参数：MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：751pF @ 10V功率 - 最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerDI3333-8
