DMN3033LSD-13

DMN3033LSD-13
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DMN3033LSD-13参数：MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：22毫欧@6.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：725pF@15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP