DMN62D0LFB-7B参数：MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：10,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2欧姆@100mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.45nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：32pF@25V功率-最大值：470mW安装类型：表面贴装封装：3-UFDFN供应商器件封装：3-X1DFN1006
