DMN65D8LDW-7参数：MOSF N CH DUAL 60V 180MA SOT363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：180mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@115mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.87nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：22pF@25V功率-最大值：300mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
