DMP1022UFDE-7参数：MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 8.2A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42.6nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2953pF @ 4V功率 - 最大值：660mW安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-UDFN2020（2x2）
