DMP2100UCB9-7参数：MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 P 沟道（双）共源FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 1A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：310pF @ 10V功率 - 最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：9-UFBGA，WLBGA供应商器件封装：U-WLB1515-9（1.51x1.51）
