DMP21D0UFD-7参数：MOS P CH 20V 1.14A X1-DFN1212-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.14A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：495 毫欧 @ 800mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：80pF @ 10V功率 - 最大值：930mW安装类型：表面贴装封装：3-XDFN供应商器件封装：3-X1DFN1212
