DMP3050LVT-7参数：MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：620pF@15V功率-最大值：1.8W安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6供应商器件封装：26-TSOT
