DMP31D0UFB4-7B参数：MOSF P CH 30V 540MA 3DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：540mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 400mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.9nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：76pF @ 15V功率 - 最大值：460mW安装类型：表面贴装封装：3-XFDFN供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）
