DMP57D5UFB-7参数：MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6欧姆@100mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：29pF@4V功率-最大值：425mW安装类型：表面贴装封装：3-XFDFN供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）
