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DTD114E

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DTD114EK 优势库存
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SOT-23
2023+
6352
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DTD114EC 优势库存
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SOT-23
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DTD114EC
DIODES
SOT-23
2023+
52278
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DTD114EKT146
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DTD114ESTP
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DTD114EK/F24
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DTD114EKA
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DTD114ECT116
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SST3
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DTD114ECHZGT116
Rohm Semicondu..
SST3
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DTD114EC
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SOT-23
2023+
30000
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DTD114EK
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DTD114EKT146
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12000
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DTD114ESTP
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6000
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DTD114ES
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TO-92S
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5557
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DTD114EK
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DTD114E(DB4)
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DTD114E
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2023+
5557
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DTD114EKA
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SOT-23
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DTD114EKLT146
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SOT-23
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DTD114EKFRAT146
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SOT23-3
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2821
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DTD114EKF24
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2023+
4278
工厂配单，价格优势
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DTD114EK/F24
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SOT-23
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1048
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DTD114EK/03
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23
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4278
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DTD114EKT146
ROHM
SC-59
2023+
16000
【【原装绝对有货】】
相关型号： DTD113ZUT106 DTD113ZKT146 DTD113EKT146 DTC643TUT106 DTC643TKT146 DTC623TUT106

DTD114EKT146
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DTD114EKT146参数：TRAN DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
产品目录绘图： SOT-346PackageTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：NPN-预偏压
电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V
电阻器-基底(R1)(Ω)：10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：56@50mA，5V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@2.5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：200MHz
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SMT3

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