ECH8304-TL-E参数：MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： ECH8Package-P,N,N/P,Dual-N&Dual-PChannelTop标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@4.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3180pF@6V功率-最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：8-ECH
