ECH8601M-TL-H参数：MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：24V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 4A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：8-ECH
