ECH8652-TL-H参数：MOSFET P-CH 12V 6A ECH8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 6V功率 - 最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：8-ECH