EM6M1T2R参数：MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： MOSFETs产品目录绘图： EM6SeriesEMT-6特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V，20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA，200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8欧姆@10mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.9nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：13pF@5V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：EMT6
