EMT18T2R参数：TRANS PNP DUAL BIP+BIP EMT6
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列标准包装：8,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：2 PNP（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA电压 - 集射极击穿（最大值）：12V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 10mA，200mA电流 - 集电极截止（最大值）：-不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 10mA，2V功率 - 最大值：150mW频率 - 跃迁：260MHz安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：EMT6
