EMZ8T2R参数：TRANS PNP DUAL BIP+BIP EMT6
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列标准包装：8,000系列：-包装：带卷 (TR)晶体管类型：NPN，PNP电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150mA，500mA电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，12V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA电流 - 集电极截止（最大值）：-不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V功率 - 最大值：150mW频率 - 跃迁：180MHz，260MHz安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：EMT6
