FCB20N60F_F085参数：MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：800系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：195 毫欧 @ 20A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：102nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2035pF @ 25V功率 - 最大值：405W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263AB
