FDA50N50参数：MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：30系列：UniFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：48A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：105毫欧@24A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：137nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6460pF@25V功率-最大值：625W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3PN