FDB16AN08A0参数：MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：800系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：75V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：58A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@58A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1857pF@25V功率-最大值：135W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263AB