FDB6030BL参数：MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009标准包装：800系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1160pF@15V功率-最大值：60W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263AB
