FDB6021P参数：MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009标准包装：800系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：28A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@14A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1890pF@10V功率-最大值：37W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263AB