FDB8444TS参数：MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices13/Aug/2010标准包装：800系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：70A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5毫欧@70A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：338nC@20V不同Vds时的输入电容(Ciss)：8410pF@25V功率-最大值：181W安装类型：表面贴装封装：TO-263-5，D²Pak（4引线+接片），TO-263BB供应商器件封装：D²PAK
