FDC2612参数:MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound08/April/2008标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):200V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):725毫欧@1.1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):11nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):234pF@100V功率-最大值:800mW安装类型:表面贴装封装:SOT-23-6细型,TSOT-23-6供应商器件封装:6-SSOT