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FDC2612

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FDC2612ER 优势库存
2995
一级代理商特价原装进口现货
2023+
2017+
FDC2612_F095
onsemi
SuperSOT?-6
2023+
500
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FDC2612
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FDC2612-NL
FAIRCHILD
SOT-163
2023+
16278
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FDC2612
FSC
SOT163
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FDC2612
FairchildSemic..
6-SSOT,Super..
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FDC2612-F095
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品质保证,价格优惠
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FDC2612P-NL
SOT-163
2023+
4278
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FDC2612-F095
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FDC2612
FAIRCHILD
SOT23-6
2023+
36520
一级代理/全新现货/长期供..
相关型号： FDC2512_F095 FDC2512 FDC20-48D05W FDC-12S-F-2NN-01K-C FDC-12S-F-2NN-01J-C FDC-12S-F-2NN-01H-C

FDC2612
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FDC2612参数：MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：725毫欧@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：234pF@100V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT

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