FDC6000NZ参数：MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 6SSOT
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@6.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：840pF@10V功率-最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装：6-SSOT扁平引线，SuperSOT?-6FLMP供应商器件封装：6-SSOT
