FDC6020C参数：MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.9A，4.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：27毫欧@5.9A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：677pF@10V功率-最大值：1.2W安装类型：表面贴装封装：6-SSOT扁平引线，SuperSOT?-6FLMP供应商器件封装：6-SSOT
