FDC606P参数：MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：26毫欧@6A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1699pF@6V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT
