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FDC6333C

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相关型号： FDC6332L FDC6331L FDC6330L FDC6329L FDC6327C FDC6326L

FDC6333C
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FDC6333C参数：MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.5A，2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：95毫欧@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.6nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：282pF@15V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT

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