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FDC640P

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相关型号： FDC6401N FDC6392S FDC638P FDC638APZ FDC637BNZ FDC637AN

FDC640P
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FDC640P参数：MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： FDC6x,NDC7003PDie11/May/2007 MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：53毫欧@4.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：890pF@10V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT

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