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FDC658AP

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FDC658AP
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相关型号： FDC6561AN FDC655BN FDC655AN FDC654P FDC653N FDC6506P

FDC658AP
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FDC658AP参数：MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： FDC6x,NDC7003PDie11/May/2007 MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.1nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：470pF@15V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SOT

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