FDC8602参数：MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.2A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 1.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：70pF @ 50V功率 - 最大值：690mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT
