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FDD306P

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FAIRCHILD
TO-252
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工厂配单，价格优势
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相关型号： FDD300004 FDD26AN06A0_F085 FDD26AN06A0 FDD2670 FDD2612 FDD2582

FDD306P
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FDD306P参数：MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.8V驱动
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@6.7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：21nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1290pF@6V
功率-最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3

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