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FDD6N25

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FDD6N25 优势库存
FAI
TO252
2023+
983
原装现货，价格优势
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FDD6N25TM
onsemi
TO-252AA
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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FDD6N25TF
onsemi
TO-252AA
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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FDD6N25TF
FairchildSemic..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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FDD6N25TM
FairchildSemic..
TO-252-3,DPa..
2023+
15850
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FDD6N25TM
FairchildSemic..
DPak,SC-63,T..
2023+
7500
品质保证,价格优惠
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FDD6N25TF
FairchildSemic..
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2023+
6000
品质保证,价格优惠
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FDD6N25
FAIRCHILD
TO-252
2023+
12437
全新进口原装现货,特价热卖
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FDD6N25TM
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TO-252
2023+
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工厂配单，价格优势
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FDD6N25TF
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2023+
12437
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TO252
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
FDD6N25TM
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
2131
全新原装现货特价优惠
FDD6N25TF
FAIRCHILD
TO-252(DPAK)
2023+
2131
全新原装现货，特价热卖
FDD6N25
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2023+
2131
全新原装正品特价优惠
相关型号： FDD6N20TM FDD6N20TF FDD6796A FDD6796 FDD6782A FDD6780A

FDD6N25TF
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FDD6N25TF参数：MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：UniFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 25V
功率 - 最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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