FDG326P参数：MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@1.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：467pF@10V功率-最大值：480mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SC-70-6
