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FDG329N

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相关型号： FDG328P FDG327NZ FDG327N FDG326P FDG316P FDG315N

FDG329N
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FDG329N参数：MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@1.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：324pF@10V
功率-最大值：380mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

FDG329N

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