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FDG6320C

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FDG6320C 优势库存
FAI
SC70-6
2023+
8756
原装现货，价格优势
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FDG6320C-NL
FAIRCHILD
SOT-363
2023+
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FDG6320C
FAIRCHILD
SOT-363
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FDG6320C
FairchildSemic..
6-TSSOP,SC-8..
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FDG6320C-D87Z
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FDG6320C-D87Z
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6000
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FDG6320C_D87Z
onsemi
SC-88（SC-70-..
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FDG6320C
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FDG6320C/20
FAIRCHLD
SOT-363
2023+
37278
工厂配单，价格优势
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FDG6320C(PBFREE)
FSC
SOT23
2023+
14557
工厂配单，价格优势
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FDG6320C/20
FAIRCHLD
SOT-363
2023+
2131
全新原装现货，价格优惠
FDG6320C
FAIRCHILD
SOT23-6
2023+
14566
原装现货，假一赔十
FDG6320C-NL
FAIRCHILD
SOT-363
2023+
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原装现货
FDG6320C
FAIRCHILD
SC70-6
2023+
13520
原装现货
相关型号： FDG6318PZ FDG6318P FDG6317NZ FDG6316P FDG6314P FDG6313N

FDG6320C
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FDG6320C参数：MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：220mA，140mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4欧姆@220mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：0.4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：9.5pF@10V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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