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FDG6332C

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FDG6332C 优势库存
FAI
SC70-6
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FDG6332C-NL
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FDG6332C
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FDG6332C-G
FAIRCHILD
2023+
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全新进口原装现货,保证质量
FDG6332C-F085
FairchildSemic..
6-TSSOP,SC-8..
2023+
1250
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FDG6332C
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2023+
33350
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FDG6332C
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FDG6332C-F085P
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FDG6332C-F085
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FDG6332C-PG
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FDG6332C-G
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159000
品质保证,价格优惠
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FDG6332C-NF40(PBF)
FAIRCHILD
SC70-6
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4278
工厂配单，价格优势
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FDG6332C
原装正品
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2023+
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FDG6332C-NL
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SOT-363
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原装现货
相关型号： FDG6331L FDG6324L FDG6323L_D87Z FDG6323L FDG6322C_D87Z FDG6322C

FDG6332C
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FDG6332C参数：MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：700mA，600mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：300毫欧@700mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：1.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：113pF@10V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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