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FDM3622

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FDM3622参数：MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound17/March/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：60毫欧@4.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：17nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1090pF@25V
功率-最大值：900mW
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-Power33（3x3）

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