FDM3622参数:MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound17/March/2008标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):4.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):60毫欧@4.4A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):17nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1090pF@25V功率-最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:8-Power33(3x3)