FDMA1032CZ参数:IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.7A,3.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):68毫欧@3.7A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):340pF@10V功率-最大值:700mW安装类型:表面贴装封装:6-WDFN裸露焊盘供应商器件封装:6-MicroFET(2x2)