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FDMA1032CZ

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FDMA1032CZ参数：IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.7A，3.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：68毫欧@3.7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：340pF@10V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN裸露焊盘
供应商器件封装：6-MicroFET（2x2）

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