FDMC5614P参数：MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound17/March/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@5.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1055pF@30V功率-最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-Power33（3x3）
