FDMC8554参数：MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound17/March/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5毫欧@16.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：62nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3380pF@10V功率-最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-Power33（3x3）
